MOSFET Vishay, canale N, 0,0048 Ω, 66,7 A, PowerPak 1212-8S, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 210-5019
- Codice costruttore:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 210-5019
- Codice costruttore:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 66,7 A | |
| Tensione massima drain source | 70 V | |
| Tipo di package | PowerPak 1212-8S | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima drain source | 0,0048 Ω | |
| Tensione di soglia gate massima | 1 → 2.3V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 66,7 A | ||
Tensione massima drain source 70 V | ||
Tipo di package PowerPak 1212-8S | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima drain source 0,0048 Ω | ||
Tensione di soglia gate massima 1 → 2.3V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Il MOSFET Vishay a canale N da 70 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)
Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM
Testato al 100% Rg e UIS
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Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM
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