MOSFET Vishay, canale N, 0,0048 Ω, 66,7 A, PowerPak 1212-8S, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5020
Codice costruttore:
SiSS78LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

66,7 A

Tensione massima drain source

70 V

Tipo di package

PowerPak 1212-8S

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

0,0048 Ω

Tensione di soglia gate massima

1 → 2.3V

Numero di elementi per chip

1

Il MOSFET Vishay a canale N da 70 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)
Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM
Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati