MOSFET Vishay, canale Tipo N, Tipo N, 4.8 mΩ 70 V, 66.7 A Miglioramento, PowerPAK 1212-8S, Superficie, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5020
Codice costruttore:
SiSS78LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

66.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

SiSS78LDN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.83mm

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N da 70 V (D-S) Vishay è dotato di un contenitore PowerPAK 1212-8S.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto basso x Qg valore di merito (FOM)

Sintonizzato per il più basso RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

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