MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 40 V, 2 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS12DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3920
Codice costruttore:
SiSS12DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.15mm

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS(on) molto bassa in un contenitore compatto e termicamente migliorato

Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione

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