MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 40 V, 2 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS12DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-3920
Codice costruttore:
SiSS12DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

59nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Lunghezza

3.15mm

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS(on) molto bassa in un contenitore compatto e termicamente migliorato

Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.