MOSFET Vishay, canale N 60 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 92.5 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS22LDN-T1-GE3

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Codice RS:
200-6854
Codice costruttore:
SiSS22LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

92.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Altezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 è un MOSFET 60V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

100 % Rg e collaudato UIS

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