MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 92.5 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS22LDN-T1-GE3

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Codice RS:
200-6854
Codice costruttore:
SiSS22LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

92.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 è un MOSFET 60V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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