MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 92.5 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS22LDN-T1-GE3

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Codice RS:
200-6854
Codice costruttore:
SiSS22LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

92.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Altezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 è un MOSFET 60V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

100 % Rg e collaudato UIS

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