MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 7.4 mΩ Miglioramento, 54.7 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS30ADN-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

7,52 €

(IVA esclusa)

9,17 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6090 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 +0,752 €7,52 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5011
Codice costruttore:
SiSS30ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

54.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiSS30ADN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.4 mm

Altezza

0.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 80 V (D-S) è dotato di un contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S con corrente di drain di 54,7 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati