MOSFET Vishay, canale N 60 V, 11 mΩ Miglioramento, 52 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SIS862ADN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4951
Codice Distrelec:
304-38-850
Codice costruttore:
SIS862ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiS862ADN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Lunghezza

3.15mm

Larghezza

3.15mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 60 V (D-S) a canale N.

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