MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 11 mΩ Miglioramento, 52 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
188-4889
Codice costruttore:
SIS862ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiS862ADN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.8nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.15mm

Altezza

1.07mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a 60 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Cifre di merito RDS x Qg molto basse (FOM)

Ottimizzato per il FOM RDS x QOSS più basso

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.