MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.95 mΩ Miglioramento, 162 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS52DN-T1-GE3

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Codice RS:
210-5015
Codice costruttore:
SiSS52DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSS52DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

830μm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 30 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen V.

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Consente una maggiore densità di potenza con RDS(on) e termicamente molto bassi contenitore compatto migliorato

Testato al 100% Rg e UIS

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