MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 5.1 mΩ Miglioramento, 92.5 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

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Codice RS:
200-6855
Codice costruttore:
SiSS22LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

92.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 è un MOSFET 60V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

100 % Rg e collaudato UIS

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