MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 6.1 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1992,00 €

(IVA esclusa)

2430,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 9000 unità in spedizione dal 31 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,664 €1.992,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
210-5013
Codice costruttore:
SiSS32ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSS32ADN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4 mm

Altezza

0.83mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 80 V (D-S) è dotato di un contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S con corrente di drain di 63 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati