MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 20.3 mΩ Miglioramento, 33.7 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

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Codice RS:
188-4888
Codice costruttore:
SiS128LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

33.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiS128LDN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

20.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 80 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Cifre di merito RDS x Qg molto basse (FOM)

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