MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 6.1 mΩ Miglioramento, 63 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS32ADN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5014P
Codice costruttore:
SiSS32ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

63A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiSS32ADN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Altezza

0.83mm

Larghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 80 V (D-S) è dotato di un contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S con corrente di drain di 63 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

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