MOSFET Vishay, canale Tipo P 150 V, 125 mΩ Miglioramento, 16.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISS73DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4940
Codice Distrelec:
304-38-852
Codice costruttore:
SISS73DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

16.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSS73DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.6nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.78mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P 150 V (D-S).

TrenchFET® con tecnologia ThunderFET

RDS(on) molto basso riduce al minimo la perdita di potenza dalla conduzione

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