MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 7 mΩ Miglioramento, 127.5 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS63DN-T1-GE3

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Codice RS:
200-6848
Codice costruttore:
SiSS63DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

127.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen III

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

236nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiSS63DN-T1-GE3 è un MOSFET 20V (D-S) a canale P.

MOSFET di potenza canale TrenchFET® Gen III p

Leadership RDS(ON) in contenitore compatto e termicamente avanzato

100 % Rg e collaudato UIS

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