MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 7 mΩ Miglioramento, 127.5 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS63DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1188,00 €

(IVA esclusa)

1449,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 19 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,396 €1.188,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6848
Codice costruttore:
SiSS63DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

127.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen III

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

236nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiSS63DN-T1-GE3 è un MOSFET 20V (D-S) a canale P.

MOSFET di potenza canale TrenchFET® Gen III p

Leadership RDS(ON) in contenitore compatto e termicamente avanzato

100 % Rg e collaudato UIS

Link consigliati