MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 7 mΩ Miglioramento, 127.5 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

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Codice RS:
200-6849
Codice costruttore:
SiSS63DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

127.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen III

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

236nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiSS63DN-T1-GE3 è un MOSFET 20V (D-S) a canale P.

MOSFET di potenza canale TrenchFET® Gen III p

Leadership RDS(ON) in contenitore compatto e termicamente avanzato

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