MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 7 mΩ Miglioramento, 127.5 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

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Codice RS:
200-6849
Codice costruttore:
SiSS63DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

127.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET Gen III

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

236nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.3 mm

Altezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiSS63DN-T1-GE3 è un MOSFET 20V (D-S) a canale P.

MOSFET di potenza canale TrenchFET® Gen III p

Leadership RDS(ON) in contenitore compatto e termicamente avanzato

100 % Rg e collaudato UIS

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