SiSS63DN-T1-GE3 | MOSFET Vishay, canale P, 0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036 Ω, 127,5 A, PowerPak 1212-8S, Montaggio superficiale | RS
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    MOSFET Vishay, canale P, 0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036 Ω, 127,5 A, PowerPak 1212-8S, Montaggio superficiale

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    Codice RS:
    200-6849
    Codice costruttore:
    SiSS63DN-T1-GE3
    Costruttore:
    Vishay

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