MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 11.5 mΩ Miglioramento, 27 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISS23DN-T1-GE3

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Codice RS:
165-6922
Codice costruttore:
SISS23DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione diretta Vf

-0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

195nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Altezza

780μm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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