MOSFET Vishay, canale P, 11,5 mΩ, 27 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-6922
Codice costruttore:: SISS23DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 11,5 mΩ, 27 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
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Codice RS:: 165-6922
Codice costruttore:: SISS23DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiSS23DN, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	27 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	11,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	57 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	3.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	195 nC a 10 V
Lunghezza	3.3mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.78mm

MOSFET Vishay, canale P, 11,5 mΩ, 27 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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