MOSFET Vishay, canale P, 26 mΩ, 9,6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 818-1380
Codice costruttore:: SI7121DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 26 mΩ, 9,6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 818-1380
Codice costruttore:: SI7121DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Si7121DN, P-Channel 30V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	9,6 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	26 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	27,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Lunghezza	3.15mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	33 nC a 10 V
Larghezza	3.15mm
Altezza	1.07mm
Minima temperatura operativa	-50 °C

MOSFET Vishay, canale P, 26 mΩ, 9,6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor

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