MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 26 mΩ Miglioramento, 9.6 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SI7121DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
818-1380
Codice costruttore:
SI7121DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

Si7121DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

26mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-50°C

Dissipazione di potenza massima Pd

27.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.15 mm

Altezza

1.07mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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