MOSFET Vishay, canale N 80 V, 7.4 mΩ Miglioramento, 54.7 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS30ADN-T1-GE3

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Codice RS:
210-5010
Codice costruttore:
SiSS30ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

54.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiSS30ADN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4mm

Altezza

830μm

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 80 V (D-S) è dotato di un contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S con corrente di drain di 54,7 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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