MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.00825 Ω Miglioramento, 54.7 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-130
Codice costruttore:
SISS126DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

54.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Serie

SISS126DN

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00825Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per un'efficienza ottimale nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione, offrendo prestazioni elevate pur operando entro i limiti specificati.

Funziona con una tensione drain-source di 80 V per prestazioni affidabili

Presenta una resistenza in stato attivo molto bassa per ridurre al minimo la perdita di potenza

Offre un'elevata corrente di scarico continua fino a 54,7 A