MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.115 Ω Miglioramento, 8 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

996,00 €

(IVA esclusa)

1215,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 6000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,332 €996,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-2765
Codice costruttore:
SI7309DN-T1-E3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Serie

Si7309DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.115Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

19.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-65°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.05 mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Lunghezza

3.05mm

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati