MOSFET Vishay, canale N, 0.03 Ω, 12 A 30 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SIS412DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7909
Codice costruttore:
SIS412DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03Ω

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

15.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.8nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.61mm

Larghezza

3.61mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Altezza

790μm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 30 V, corrente di drenaggio continua massima 12 A - SIS412DN-T1-GE3


Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza in sistemi elettronici compatti. Funziona con una tensione massima drain-source di 30 V e supporta correnti di drenaggio sostenute, adatte per applicazioni di media potenza. Il componente è progettato per il montaggio a livello di scheda in progetti in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una gestione della potenza moderata, funzionando in modo affidabile in un'ampia gamma di temperature.

Caratteristiche e vantaggi:


• Bassa resistenza all'accensione di 0,03 Ω per ridurre le perdite di conduzione
• Corrente di drenaggio continua massima di 12 A per una maggiore capacità di carico
• Carica gate tipica Qg 3,8 nC che consente transizioni di commutazione più veloci
• Dissipazione di potenza nominale di 15,6 W per prestazioni termiche sostenute
• Tolleranza della tensione gate-source di ±20 V per una maggiore flessibilità di azionamento
• Intervallo di funzionamento da -55 a 150 °C per un'implementazione ad ampio intervallo di temperatura

Applicazioni


• Adatto per convertitori buck sincroni in alimentatori compatti
• Ideale per la gestione della batteria e le fasi di distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono una commutazione ad alta corrente
• Può essere utilizzato per gli interruttori di carico nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Utile nei driver LED in cui la bassa Rds(on) riduce il calore

Quale tipo di contenitore devo aspettarmi per la pianificazione dell'ingombro?


Il dispositivo è fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 1212‐8 di 3,61 x 3,61 mm, che consente layout di circuiti stampati ad alta densità e un contatto termico efficiente con i piani in rame.

Come si comporta termicamente il dispositivo sotto carico?


Con la sua dissipazione di potenza massima di 15,6 W, il dispositivo richiede un design termico del circuito stampato appropriato poiché il calore di giunzione-ambiente deve essere gestito per rimanere entro la temperatura d'esercizio massima di 150 °C.

Quali sono le caratteristiche di commutazione che influenzano la selezione del driver?


Con una carica gate tipica di 3,8 nC, l'azionamento gate deve fornire impulsi di corrente brevi durante le transizioni

ciò riduce le perdite di commutazione, ma richiede la considerazione della corrente di picco del driver e della resistenza del gate.

Esistono limiti alla conduzione inversa per l'uso nei circuiti sincroni?


La tensione diretta è specificata in 1,2 V, pertanto il comportamento di conduzione e recupero del diodo corpo-corpo deve essere valutato nelle topologie di rettifica sincrona per valutare le perdite durante gli eventi di corrente inversa.

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