MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.03 Ω, 12 A 30 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin

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Codice RS:
180-7358
Codice costruttore:
SIS412DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

15.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.8nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.61mm

Larghezza

3.61 mm

Altezza

0.79mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore PowerPAK-1212-8 a canale N, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 30V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 24mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 15,6 W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza alogeni e piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttori di carico

• PC notebook

• alimentazione del sistema

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