MOSFET Vishay, canale Tipo N, 0.03 Ω, 12 A 30 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SIS412DN-T1-GE3
- Codice RS:
- 180-7358
- Codice costruttore:
- SIS412DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
1050,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,35 € | 1.050,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7358
- Codice costruttore:
- SIS412DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.03Ω | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 15.6W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.61mm | |
| Altezza | 0.79mm | |
| Lunghezza | 3.61mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK 1212-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.03Ω | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 15.6W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.61mm | ||
Altezza 0.79mm | ||
Lunghezza 3.61mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 30 V, corrente di drenaggio continua massima 12 A - SIS412DN-T1-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
Applicazioni
Quale tolleranza del gate deve essere osservata durante la progettazione dell'azionamento?
In che modo la gestione termica influisce sul funzionamento continuo?
Quali considerazioni sull'imballaggio si applicano all'assemblaggio e al layout?
Questo componente è adatto per progetti certificati per il settore automobilistico?
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