MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSHA14DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4957
Codice costruttore:
SiSHA14DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiSHA14DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

26.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.4nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.93mm

Larghezza

3.3 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 30 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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