MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 20 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSHA14DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4957
Codice costruttore:
SiSHA14DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA14DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

26.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.93mm

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 30 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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