MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.0117 Ω, 35 A 40 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SIS443DN-T1-GE3

Codice RS:: 180-7730
Codice costruttore:: SIS443DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.0117 Ω, 35 A 40 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SIS443DN-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7730
Codice costruttore:: SIS443DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	PowerPAK 1212-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.0117Ω
	Dissipazione di potenza massima Pd	52W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	41.5nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.61 mm
	Altezza	0.79mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	3.61mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package PowerPAK 1212-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0117Ω
	Dissipazione di potenza massima Pd 52W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 41.5nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.61 mm
	Altezza 0.79mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 3.61mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 13,7 ms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 52W e corrente di drain continua di 35A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• interruttori adattatori

• convertitori c.c./c.c.

• interruttori di carico

• Mobile computing

• Computer notebook

• Gestione dell'alimentazione

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato