MOSFET Vishay, canale Tipo P, 1.1 Ω, 3.8 A 200 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SI7119DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7820
Codice costruttore:
SI7119DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.1Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Minima temperatura operativa

50°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Altezza

1.07mm

Larghezza

3.3 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 200V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 1050mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 52W e corrente di drain continua di 3,8 A. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. È dotato di applicazioni nel morsetto attivo in alimentatori c.c./c.c. intermedi. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

Contenitore powerpak a bassa resistenza termica • con dimensioni ridotte e basso profilo di 1,07 mm

• di potenza di dissipazione massima 52W

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -50 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato

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