MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.145 Ω, 13.2 A 100 V, PowerPAK 1212-8, Superficie, 8 Pin SI7113DN-T1-GE3

Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-7804
Codice costruttore:
SI7113DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.145Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.5nC

Minima temperatura operativa

50°C

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.61mm

Larghezza

3.61mm

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC JS709A

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione di scarico-sorgente di 100 V e una tensione di gate-sorgente massima di 20 V. Ha una resistenza alla sorgente di scarico di 134 mohm a una tensione alla sorgente di gate di 10 V. Ha una dissipazione di potenza massima di 52 W e una corrente di scarico continua di 13,2 A. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di commutazione e di conduzione. Ha applicazioni nel morsetto attivo in alimentatori c.c./c.c. intermedi. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza e una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• senza alogeni e piombo (Pb)

Contenitore powerpak a bassa resistenza termica • con dimensioni ridotte e basso profilo di 1,07 mm

• la tensione di pilotaggio massima e minima è 4,5 V e 10V

La potenza di dissipazione massima è di • 52W

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -50 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.