4 MOSFET Vishay, canale Doppio N, 6 A 60 V, PowerPAK 1212-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SIS9634LDN-T1-GE3

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Codice RS:
268-8344
Codice costruttore:
SIS9634LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Doppio N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Serie

SIS9634LDN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

60 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, UIS tested 100 percent

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a doppio canale N TrenchFET di 4 generazioni Vishay è un dispositivo completamente privo di piombo e alogeni. È ottimizzato e il rapporto riduce la perdita di potenza correlata alla commutazione ed è utilizzato in applicazioni come la rettifica sincrona, l'azionamento di motori

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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