MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.065 Ω, 5.7 A 60 V, PowerPAK 1212-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI7415DN-T1-GE3

Codice RS:: 180-7759
Codice costruttore:: SI7415DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.065 Ω, 5.7 A 60 V, PowerPAK 1212-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI7415DN-T1-GE3

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Codice RS:: 180-7759
Codice costruttore:: SI7415DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	5.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	PowerPAK 1212-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.065Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	25nC
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.8W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.61mm
	Standard/Approvazioni	IEC 61249-2-21
	Larghezza	3.61 mm
	Altezza	1.12mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 5.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package PowerPAK 1212-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.065Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.8W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.61mm
	Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21
	Larghezza 3.61 mm
	Altezza 1.12mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET PowerPAK-1212-8 a canale P per montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 65mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 3,8 W e una corrente di drain continua di 5,7 A. Ha una tensione di pilotaggio minima e massima di 4,5 V e 10V rispettivamente. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

Commutazione rapida •

• Senza alogeni

• componente senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications

• azionamenti per motori half-bridge

Convertitori buck non sincroni ad alta tensione •

• interruttori di carico

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007