MOSFET Vishay, canale N 650 V, 0.065 Ω Miglioramento, 29 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Scheda SIHK075N65E-T1-GE3

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Codice RS:
735-259
Codice costruttore:
SIHK075N65E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E Series

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Tipo montaggio

Scheda

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.065Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

12.88mm

Larghezza

9.9mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL

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