MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.08 Ω Miglioramento, 29 A, 4 Pin, PowerPAK 8 x 8, Superficie SIHH075N65E-T1-GE3

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Codice RS:
735-258
Codice costruttore:
SIHH075N65E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 8 x 8

Serie

E Series

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.08Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

8.1mm

Lunghezza

8.1mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL

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