MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.056 Ω Depletion, 42 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie
- Codice RS:
- 239-8636
- Codice costruttore:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- 239-8636
- Codice costruttore:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.056Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 236W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.056Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 236W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 42 A - SIHK055N60E-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per ambienti di conversione di potenza e controllo automobilistico impegnativi. Funziona su una gamma ambiente estesa ed è offerto in un pacchetto compatto a montaggio superficiale adatto per assemblaggi ad alta densità, fornendo un equilibrio tra gestione della potenza e capacità termica per sistemi elettronici industriali e per veicoli.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 42 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.056 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 236 W consente un flusso di potenza sostenuto
• La carica tipica del gate di 54 nC riduce al minimo l'energia di commutazione
• La tolleranza del gate di 30 V garantisce un margine di azionamento robusto
• La corrente continua di 42 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• L'Rds(on) di 0.056 Ω riduce le perdite di conduzione
• La dissipazione di potenza di 236 W consente un flusso di potenza sostenuto
• La carica tipica del gate di 54 nC riduce al minimo l'energia di commutazione
• La tolleranza del gate di 30 V garantisce un margine di azionamento robusto
Applicazioni
• Adatto per gli interruttori di potenza con inverter a fase di trazione
• Ideale per le uscite dei convertitori CC-CC ad alta tensione
• Utilizzato con controller per azionamento motore nei sistemi automobilistici
• Può essere utilizzato per la commutazione di alimentatori industriali
• Adatto per assemblaggi ad alta potenza a montaggio superficiale
• Ideale per le uscite dei convertitori CC-CC ad alta tensione
• Utilizzato con controller per azionamento motore nei sistemi automobilistici
• Può essere utilizzato per la commutazione di alimentatori industriali
• Adatto per assemblaggi ad alta potenza a montaggio superficiale
Quale gamma termica posso aspettarmi durante l'implementazione di questo dispositivo?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C, consentendo il funzionamento in condizioni ambientali estreme e sotto il cofano.
In che modo il contenitore influisce sul montaggio e sul raffreddamento?
Il formato a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 fornisce un ingombro a basso profilo che facilita la conduzione termica dei circuiti stampati e i layout di schede densi.
Questo dispositivo è adatto per progetti automobilistici con esigenze di qualificazione?
Soddisfa i requisiti AEC-Q101, il che lo rende applicabile a molti progetti di elettronica per veicoli che richiedono componenti di livello automobilistico.
Quali vincoli del gate-drive devono essere osservati?
La tensione massima da gate a sorgente è di 30 V, pertanto i circuiti di gate-drive devono limitare le escursioni all'interno di tale intervallo per evitare stress.
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