MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.16 Ω Depletion, 19 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

3226,00 €

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Codice RS:
252-0267
Codice costruttore:
SIHK185N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.16Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

114W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

33nC

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua massima 19 A - SIHK185N60E-T1-GE3


Questo MOSFET di potenza è un dispositivo di commutazione ad alta tensione per la conversione e il controllo della potenza in sistemi elettronici impegnativi. Progettato per il montaggio superficiale in gruppi compatti, funziona come transistor in modalità di esaurimento a canale N ed è adatto per le applicazioni che richiedono una resistenza alle temperature elevate e una robusta gestione della tensione.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 650 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 19 A supporta una gestione del carico sostanziale • L'Rds(on) di 0,16 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione per una maggiore efficienza • La carica di gate tipica di 33 nC consente un'energia di commutazione prevedibile • La dissipazione di potenza 114 W gestisce il carico termico in layout compatti • La tolleranza del gate di ±20 V semplifica la progettazione e la protezione del gate drive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori ad alta tensione nell'automazione industriale • Ideale per gli stadi inverter nei sistemi di controllo motore • Utilizzato per la conversione c. c. - c. c. in apparecchiature elettriche per impieghi pesanti • Può essere utilizzato per le funzioni di commutazione nei moduli di distribuzione dell'alimentazione

A quale intervallo di temperatura d'esercizio può resistere?


Funziona tra -55 °C e +150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica.

Quale tipo di contenitore è fornito per l'integrazione su circuito stampato?


Il dispositivo è fornito in un contenitore PowerPAK 10x12 a montaggio superficiale con otto pin per un assemblaggio compatto.

In che modo il dispositivo soddisfa le esigenze di sviluppo automobilistico?


È conforme alla qualifica AEC-Q101, che supporta i progetti che richiedono la robustezza dei componenti di livello automobilistico.

Quali sono le dimensioni dell'ingombro fisico?


Il componente misura 6,15 mm di lunghezza e 5,15 mm di larghezza per layout attenti allo spazio.

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