MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.16 Ω Depletion, 19 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK185N60E-T1-GE3
- Codice RS:
- 252-0267
- Codice costruttore:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 252-0267
- Codice costruttore:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.16Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 114W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.16Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 114W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione drain-source 650 V, corrente di drenaggio continua 19 A - SIHK185N60E-T1-GE3
Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Funziona come dispositivo di esaurimento a canale N ed è costruito per funzionare in un'ampia gamma ambientale, il che lo rende adatto per contesti industriali e automobilistici in cui è richiesta una commutazione robusta a tensioni elevate.
Caratteristiche e vantaggi:
• La capacità di drenaggio a 650 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 19 A supporta correnti di carico sostanziali
• L'Rds(on) di 0.16 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 114 W consente una gestione ad alta potenza in layout compatti
• La carica gate tipica di 33 nC consente un budget energetico di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di ±20 V preserva l'integrità del gate in caso di transienti di controllo
• La corrente di drenaggio continua di 19 A supporta correnti di carico sostanziali
• L'Rds(on) di 0.16 Ω riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 114 W consente una gestione ad alta potenza in layout compatti
• La carica gate tipica di 33 nC consente un budget energetico di commutazione prevedibile
• La tolleranza del gate di ±20 V preserva l'integrità del gate in caso di transienti di controllo
Applicazioni
• Adatto per fasi di conversione di potenza ad alta tensione
• Ideale per i moduli di controllo elettronico automobilistici che richiedono componenti di livello automobilistico
• Utilizzato per la commutazione front-end dell'azionamento del motore nelle apparecchiature industriali
• Può essere utilizzato per alimentatori di commutazione in convertitori offline
• Utile nei circuiti di gestione dell'alimentazione che richiedono soluzioni a montaggio superficiale
• Ideale per i moduli di controllo elettronico automobilistici che richiedono componenti di livello automobilistico
• Utilizzato per la commutazione front-end dell'azionamento del motore nelle apparecchiature industriali
• Può essere utilizzato per alimentatori di commutazione in convertitori offline
• Utile nei circuiti di gestione dell'alimentazione che richiedono soluzioni a montaggio superficiale
Quali estremi termici può sopportare durante l'implementazione?
È specificato per funzionare fino a -55 °C e fino a +150 °C, adattandosi a forti escursioni di temperatura ambiente e di giunzione.
Come è confezionato per l'assemblaggio su circuito stampato?
È fornito in un contenitore a montaggio superficiale PowerPAK 10x12 con otto pin per facilitare il montaggio su circuito stampato a bassa induttanza.
Soddisfa i criteri di qualificazione per il settore automobilistico?
Il dispositivo è conforme allo standard automobilistico AEC-Q101, che indica l'idoneità per i sistemi elettronici dei veicoli.
Quale canale e modalità di conduzione utilizza?
Il transistor utilizza un canale di tipo N e funziona in modalità di esaurimento per il suo comportamento di commutazione.
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