MOSFET Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.11 Ω Depletion, 21 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie SIHK125N60E-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8638
Codice costruttore:
SIHK125N60E-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

E

Tipo di package

PowerPAK 10 x 12

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.11Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Dissipazione di potenza massima Pd

132W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La serie Vishay E è costituita da MOSFET di potenza con diodo a corpo rapido. Questo MOSFET viene utilizzato per alimentatori di server e telecomunicazioni, saldatura e azionamenti per motori.

Tecnologia serie E di 4a generazione

Bassa capacità effettiva

Ridotte perdite di commutazione e conduzione

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