MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 650 V, 0.043 Ω Depletion, 48 A, 8 Pin, PowerPAK 10 x 12, Superficie
- Codice RS:
- 239-8634
- Codice costruttore:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 unità*
8,64 €
(IVA esclusa)
10,54 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 2040 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,64 € |
| 10 - 24 | 8,12 € |
| 25 - 49 | 7,34 € |
| 50 - 99 | 6,90 € |
| 100 + | 6,48 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 239-8634
- Codice costruttore:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 48A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Tipo di package | PowerPAK 10 x 12 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.043Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 98nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 48A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie E | ||
Tipo di package PowerPAK 10 x 12 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.043Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 98nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 650 V, corrente di drenaggio continua 48 A - SIHK045N60E-T1-GE3
Caratteristiche e vantaggi:
Applicazioni
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo accettare?
Come deve essere affrontata la gestione termica sui gruppi di circuiti stampati?
Quali sono i margini di tensione appropriati per la progettazione di sicurezza?
Esistono vincoli di temperatura ambientale per il funzionamento?
Link consigliati
- MOSFET di potenza Vishay 0.043 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.043 Ω Miglioramento 4 Pin Superficie SiHK045N60E
- MOSFET di potenza Vishay 0.056 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.109 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.16 Ω Depletion 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.01 Ω Depletion 4 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 0.01 Ω Depletion 4 Pin Superficie SIJH600E-T1-GE3
- MOSFET Vishay 0.01 mΩ Depletion 8 Pin Superficie
