MOSFET Vishay, canale Canale N 650 V, 0.043 Ω Miglioramento, 48 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiHK045N60E
- Codice RS:
- 735-154
- Codice costruttore:
- SIHK045N60E-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 735-154
- Codice costruttore:
- SIHK045N60E-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 48A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiH | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.043Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 600V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 65nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 2mm | |
| Larghezza | 10mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 13mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 48A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiH | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.043Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 600V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 65nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 2mm | ||
Larghezza 10mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 13mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente
Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C
Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida
Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C
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