MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.0004 Ω Miglioramento, 680 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8S, Superficie SiRS4300DP

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Codice RS:
735-147
Codice costruttore:
SiRS4300DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

680A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0004Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

180nC

Tensione diretta Vf

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5mm

Lunghezza

6mm

Altezza

2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 30 V ed è progettato per la rettifica sincrona a bassissima perdita nei convertitori buck per server di potenza AI e nei sistemi di erogazione di potenza ad alta corrente. Raggiunge una resistenza di accensione eccezionalmente bassa di 400 μΩ a 10 V per massimizzare l'efficienza in applicazioni estremamente ad alta densità.

Dissipazione di potenza nominale 278 W

Struttura testata al 100% Rg e UIS

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