MOSFET Vishay, canale Canale N 30 V, 0.00057 Ω Miglioramento, 518 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8S, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-148
Codice costruttore:
SiRS4302DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

518A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8S

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00057Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Tensione diretta Vf

30V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

153nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6mm

Larghezza

5mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 87 A a TA=25 °C.

Basso valore di RDS(on) x Qg per prestazioni di commutazione superiori

Struttura testata al 100% Rg e UIS

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