MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.00057 Ω Miglioramento, 518 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8S, Superficie SIRS4302DP-T1-GE3

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Codice RS:
735-148
Codice costruttore:
SIRS4302DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

518A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00057Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

153nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Tensione diretta Vf

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

2mm

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 87 A a TA=25 °C.

Basso valore di RDS(on) x Qg per prestazioni di commutazione superiori

Struttura testata al 100% Rg e UIS

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