MOSFET Vishay, canale Canale N 40 V, 0.00069 Ω Miglioramento, 473 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8S, Superficie SiRS4400DP

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Codice RS:
735-143
Codice costruttore:
SiRS4400DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

473A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00069Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

195nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

40V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6mm

Altezza

2mm

Larghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Dissipazione di potenza massima di 278 W a TC=25 °C

Carica totale gate tipica 195 nC

Testato al 100% Rg e UIS per l'affidabilità

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