MOSFET Vishay, canale Canale N 60 V, 0.00115 Ω Miglioramento, 359 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8S, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-137
Codice costruttore:
SiRS4600DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

359A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00115Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione diretta Vf

60V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5mm

Lunghezza

6mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V ed è progettato per la commutazione a bassissima perdita in applicazioni AI Power Server e convertitori CC/CC ad alta corrente. È dotato di una resistenza di accensione leader del settore di 1,2 mΩ massimo a 10 V per massimizzare l'efficienza nelle topologie di raddrizzamento sincrono.

Corrente di drenaggio continua 334 A a TC=25 °C.

Basso valore di RDS(on) x Qg per un'efficienza di commutazione ottimale

Testato al 100% Rg e UIS per l'affidabilità

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