MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0018 Ω Miglioramento, 265 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8S, Superficie SiRS5800DP

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Codice RS:
735-133
Codice costruttore:
SiRS5800DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

265A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0018Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

81nC

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

80V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2mm

Lunghezza

6mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 80 V, ottimizzato per la rettifica sincrona a bassa perdita nei convertitori buck per server di potenza AI. Raggiunge la resistenza di accensione leader del settore di 1,8 mΩ massimo a 10 V per un'efficienza superiore in condizioni di carico elevato.

Corrente nominale di scarico a impulsi 265 A

Carica totale gate tipica 81 nC

Resistenza termica giunzione-contenitore 52 °C/W

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