MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0018 Ω Miglioramento, 265 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8S, Superficie SiRS5800DP

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Codice RS:
735-133
Codice costruttore:
SiRS5800DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

265A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0018Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

80V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

81nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

6mm

Altezza

2mm

Larghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 80 V, ottimizzato per la rettifica sincrona a bassa perdita nei convertitori buck per server di potenza AI. Raggiunge la resistenza di accensione leader del settore di 1,8 mΩ massimo a 10 V per un'efficienza superiore in condizioni di carico elevato.

Corrente nominale di scarico a impulsi 265 A

Carica totale gate tipica 81 nC

Resistenza termica giunzione-contenitore 52 °C/W

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