MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.0018 Ω Miglioramento, 265 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRS5800DP-T1-GE3

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Codice RS:
279-9972
Codice costruttore:
SIRS5800DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

265A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SIRS

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0018Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

122nC

Dissipazione di potenza massima Pd

240W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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