MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 2.6 mΩ Miglioramento, 195 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRA99DP-T1-GE3

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Codice RS:
188-5097
Codice costruttore:
SIRA99DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

195A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiRA99DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

172.5nC

Tensione diretta Vf

-1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.07mm

Lunghezza

5.99mm

Larghezza

5 mm

Standard automobilistico

No

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