MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 0.0062 Ω Miglioramento, 105 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR5211DP-T1-GE3

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Codice RS:
279-9947
Codice costruttore:
SIR5211DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

105A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0062Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

158nC

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

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Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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