MOSFET Vishay, canale Tipo P -30 V, 0.03 mΩ Miglioramento, 13.6 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SI4155DY-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

7,40 €

(IVA esclusa)

9,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 5040 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,74 €7,40 €
100 - 4900,696 €6,96 €
500 - 9900,629 €6,29 €
1000 - 24900,592 €5,92 €
2500 +0,556 €5,56 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
252-0246
Codice costruttore:
SI4155DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

13.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

5.6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

La linea di prodotti MOSFET Vishay Siliconix include una vasta gamma di tecnologie avanzate. I MOSFET sono dispositivi a transistor controllati da un condensatore. Effetto di campo significa che sono controllati dalla tensione. Il substrato dei MOSFET a canale P contiene elettroni e lacune di elettroni. I MOSFET a canale P sono collegati a una tensione positiva. Questi MOSFET si accendono quando la tensione fornita al terminale Gate è inferiore alla tensione Source.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati