MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.03 Ω Miglioramento, 10.9 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4128DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3311
Codice costruttore:
SI4128DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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