MOSFET Vishay, canale N 100 V, 2.2 Ω Miglioramento, 18 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4190ADY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9235
Codice costruttore:
SI4190ADY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

Si4190ADY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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