MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 12.7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 710-3317
Codice costruttore:: SI4116DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 12.7 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 710-3317
Codice costruttore:: SI4116DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 25V 12.7A N
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12.7 A
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	2500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 12.7 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

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