MOSFET Vishay, canale Tipo N 25 V, 9 mΩ Miglioramento, 12.7 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4116DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3317
Codice costruttore:
SI4116DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SOIC

Serie

Si4116DY

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Altezza

1.55mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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