MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 12,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-0272
Codice costruttore:: SI4116DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 12,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

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Codice RS:: 919-0272
Codice costruttore:: SI4116DY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	12,7 A
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	17,5 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V
Larghezza	4mm
Altezza	1.55mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 9 mΩ, 12,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, da 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor

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