MOSFET Vishay, canale N 60 V, 47 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 8 Pin, SOIC, Superficie SI4850EY-T1-GE3

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Codice RS:
919-4191
Codice costruttore:
SI4850EY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

Si4850EY

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

47mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

3.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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