MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 8,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4191
Codice costruttore:: SI4850EY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 8,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,688 €

(IVA esclusa)

0,839 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,688 €	1.720,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4191
Codice costruttore:: SI4850EY-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	47 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	3,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	18 nC a 10 V
Larghezza	4mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 8,5 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale N, da 60V a 90V, Vishay Semiconductor

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