MOSFET Vishay, canale N 30 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 58 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRA14DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9389
Codice costruttore:
SIRA14DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

760mV

Dissipazione di potenza massima Pd

31.2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-16V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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